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關(guān)于原子沉積系統(tǒng)您都了解嗎?

更新時(shí)間:2021-05-24      點(diǎn)擊次數(shù):1133
  原子沉積系統(tǒng)的原子層沉積是在一個(gè)加熱反應(yīng)的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅(qū)體源,化學(xué)吸附至表面飽和時(shí)自動(dòng)終止,適當(dāng)?shù)倪^(guò)程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個(gè)基本的原子層沉積循環(huán)包括四個(gè)步驟:脈沖A,清洗A,脈沖B和清洗B。沉積循環(huán)不斷重復(fù)直至獲得所需的薄膜厚度,是制作納米結(jié)構(gòu)從而形成納米器件的工具。
 
  原子沉積系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)包括:
 
  1.  可以通過(guò)控制反應(yīng)周期數(shù)準(zhǔn)確控制薄膜的厚度,從而達(dá)到原子層厚度精度的薄膜;
 
  2.  由于前驅(qū)體是飽和化學(xué)吸附,保證生成大面積均勻性的薄膜;
 
  3.  可生成較好的三維保形性化學(xué)計(jì)量薄膜,作為臺(tái)階覆蓋和納米孔材料的涂層;
 
  4.  可以沉積多組份納米薄層和混合氧化物;
 
  5.  薄膜生長(zhǎng)可在低溫下進(jìn)行(室溫到400度以下);
 
  6.  可廣泛適用于各種形狀的襯底;
 
  7.  原子層沉積生長(zhǎng)的金屬氧化物薄膜可用于柵極電介質(zhì)、電致發(fā)光顯示器絕緣體、電容器電介質(zhì)和MEMS器件,生長(zhǎng)的金屬氮化物薄膜適合于擴(kuò)散勢(shì)壘。
 
  原子沉積系統(tǒng)的技術(shù)參數(shù):
 
  基片尺寸:6英寸、8英寸、12英寸;
 
  加熱溫度:25℃—400℃(可選配更高);
 
  均勻性: < 2%;
 
  前驅(qū)體數(shù):4路(可選配6路);
 
  兼容性: 可兼容100級(jí)超凈室。
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